Transphorm的GaN初次到达对机电驱动利用相当主要的短路稳健性里程碑 “GaN功率半导体代表下一代电力系统的将来，此范畴的带领企业Transphorm, Inc.（Nasdaq：TGAN）公布，该公司借助专利手艺在GaN功率晶体管上演示出高达5微秒的短路耐受时候（SCWT）。这是有记实以来初次实现此类成绩，标记着全部行业的一个主要里程碑。它证实了Transphorm GaN有能力知足坚忍的功率逆变器所需的短路能力，例如伺服机电、工业机电和传统上由硅IGBT或碳化硅（SiC）MOSFET供电的汽车动力系统等。

Capability与Yaskawa Electric Corporation合作，充实阐扬Transphorm常关平台的底子优势GaN功率半导体代表下一代电力系统的将来，此范畴的带领企业Transphorm, Inc.（Nasdaq：TGAN）公布，该公司借助专利手艺在GaN功率晶体管上演示出高达5微秒的短路耐受时候（SCWT）。这是有记实以来初次实现此类成绩，标记着全部行业的一个主要里程碑。它证实了Transphorm GaN有能力知足坚忍的功率逆变器所需的短路能力，例如伺服机电、工业机电和传统上由硅IGBT或碳化硅（SiC）MOSFET供电的汽车动力系统等。在将来5年内，GaN TAM将跨越30亿美元。此次演示开辟获得Yaskawa Electric Corporation的鼎力撑持。Yaskawa Electric Corporation是Transphorm的持久计谋合作火伴，也是中低电压驱动器、伺服系统、机械节制器和工业机械人范畴的全球带领企业。这使得GaN成为伺服系统极具吸引力的功率转换手艺，由于与现有解决方案比拟，它的效力更高、体积更小。要做到这一点，GaN必需经由过程严酷的稳健性测试，此中短路保存能力是难度最年夜的一项。呈现短路故障时，装备要在高电流和高电压的极端前提下运行。系统可能需要几微秒的时候来检测故障并封闭操作。在此时代，装备必需可以或许自行承受故障。Yaskawa企业手艺部根本研发治理部司理Motoshige Maeda暗示：“假如功率半导体器件没法承受短路事务，系统自己可能掉效。业界遍及认为GaN功率晶体管没法知足像我们如许的重载电力利用所需的短路要求。在与Transphorm合作多年后，我们认为这类观点缺少根据，我们的判定在今天获得证实。我们对该团队获得的成绩感应振奋，并等候展现我们的设计能从这类新GaN功能受益的具体体例。”短路手艺已在新设计的15 mΩ 650 V GaN器件长进行了演示。值得留意的是，该装备在50kHz的硬切换前提下到达99.2%的峰值效力和12kW的最年夜功率。该装配不但机能优良，并且靠得住性很高，并能知足高温高压应力要求。Transphorm首席手艺官兼结合开创人Umesh Mishra暗示：“尺度的GaN器件只能承受百分之几纳秒的短路，这对故障检测和平安封闭太短。但凭仗级联架构和要害专利手艺，我们可以或许在不利用额外外部组件的环境下实现长达5微秒的短路耐受时候，从而连结了低本钱和高机能。我们领会现今对高功率、高机能逆变器系统的需求。我们持久正视立异工作，并能高傲地说，立异经验帮忙我们将GaN晋升到更高程度。这再一次证实Transphorm在高压GaN稳健性和靠得住性方面处在全球领先地位，并会增进机电驱动和其他高功率系统的GaN的变化。“有关注释SCWT成绩的完全描写、演示阐发等估计将在来岁的年夜型电力电子会议上颁发。关在 TransphormTransphorm, Inc.是GaN革命的全球带领者。该公司设计和制造用在高压功率转换利用的高机能和高靠得住性GaN半导体。Transphorm具有最年夜的功率GaN IP组合之一，并具有1000多项自有也许可的专利。公司出产出业界首个合适JEDEC和AEC-Q101尺度的高压GaN半导体器件。该公司的垂直集成装备贸易模式答应在以下每一个开辟阶段进行立异：设计、制造、装备和利用撑持。Transphorm的立异科技使电力电子产物超出了硅的限制，实现了99%以上的效力、增添了50%的功率密度并削减了20%的系统本钱。Transphorm总部位在加利福尼亚州戈利塔，而且在戈利塔和日本的会津设有制造营业。若要领会更多信息，请拜候www.eartodastreetz.com。