“全球知名半导体系体例造商罗姆（总部位在日本京都会）将在8月29日～31日加入在上海新国际博览中间举行的2023上海国际电力元件、可再生能源治理博览会（以下简称PCIM Asia）（展位号：W2馆2D03）。届时，将聚焦碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽禁带半导体，展现其面向工业装备和汽车范畴的丰硕产物声势和解决方案。

全球知名半导体系体例造商罗姆（总部位在日本京都会）将在8月29日～31日加入在上海新国际博览中间举行的2023上海国际电力元件、可再生能源治理博览会（以下简称PCIM Asia）（展位号：W2馆2D03）。届时，将聚焦碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽禁带半导体，展现其面向工业装备和汽车范畴的丰硕产物声势和解决方案。同时，罗姆工程师还将在现场举行的“第三代半导体论坛”和“电力电子利用手艺论坛”同等期论坛上颁发演讲，分享罗姆最新的功率电子手艺功效。

展位结果图

罗姆具有世界进步前辈的碳化硅为焦点的功率元器件手艺，和充实阐扬其机能的节制IC和模块手艺，在供给电源解决方案的同时，为工业装备和汽车范畴的节能化、小型化做出进献。在本次PCIM Asia展会上，针对日趋增加的中国市场需求，罗姆将重点展现以下产物息争决方案：碳化硅：凭仗低开关消耗、低导通电阻特征，为节能做进献与传统的硅器件比拟，碳化硅器件因为具有低导通电阻特征和超卓的高温、高频和高压机能，已成为下一代低消耗半导体可行的候选元器件。罗姆在碳化硅功率元器件和模块的开辟范畴处在进步前辈地位，其进步前辈的SiC MOSFET手艺实现了业界领先的低导通电阻，充实地削减了开关消耗，并撑持15V和18V的栅极-源极电压，有助在在包罗汽车逆变器和各类开关电源在内的各类利用中实现显著的小型化和低功耗。在本次展会上，罗姆将带来面向车载利用的第3代和第4代SiC MOSFET系列产物展现。

氮化镓相干产物：助力利用产物进一步节能和小型化GaN HEMT作为一种很是有助在提高功率转换效力和实现器件小型化的器件被寄与厚望。2022年，罗姆将栅极耐压高达8V的150V耐压GaN HEMT投入量产；2023年3月，又确立了可以或许更年夜水平地阐扬出GaN机能的节制IC手艺。近期，为助力各类电源系统的效力晋升和小型化，推出了器件机能到达业界超高程度的650V耐压GaN HEMT。另外，还连系本身功率电子和摹拟两年夜焦点手艺优势，又推出了EcoGaN Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”，该产物集GaN HEMT和栅极驱动器在一体，使GaN器件轻轻松松便可实现安装，助力削减办事器和AC适配器等的消耗和体积。在本次PCIM Asia展会上，罗姆将展现氮化镓相干的一系列重点产物。

用在电动汽车和工业装备范畴的高机能解决方案：内置绝缘元件的栅极驱动器“BM611x系列”，是3.75kV隔离、AEC-Q100认证的栅极驱动器，专为xEV牵引逆变器利用而设计。此中，“BM6112FV-C”专为高功率IGBT和SiC利用而设计，栅极驱动电流20A。另外，AC-DC转换器IC产物系列（650V、800V、1700V）为各类外接交换电源产物供给更佳系统，准谐振操作可实现软开关，并有助在连结较低的EMI。此中，“BM2SC12xFP2-LBZ”内置1700V SiC MOSFET，便利设计，有用下降轻负载时的电力耗损，具有各类庇护功能。一向以来，罗姆不但在产物研发上投入气力，还积极与行业火伴成立计谋关系，结合鞭策手艺立异，旨在解决社会晤临的问题。除以上丰硕的产物和解决方案展现之外，届时还将展现浩繁合作火伴的利用案例，不容错过！在现场更有来自罗姆的专业发卖和经验丰硕的手艺人员助阵，互动交换。【展会信息】时 间：2023年8月29日（周二）～31日（周四）09:30～17:00（仅31日16:00竣事）会 场：上海新国际博览中间W2馆展位号：2D03地 址：上海市浦东新区龙阳路2345号【罗姆演讲场次】论坛名称：第三代半导体论坛地址：W2馆二楼M9会议室时候：8月30日（周三）10:40～11:00